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Physikalische Ursachen und Wirkung von Rauschquellen in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren

Online Katalog der Universitätsbibliothek der LMU München (1/1)

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Physikalische Ursachen und Wirkung von Rauschquellen in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren

Autor: Hörnel, Nicolas
Ort, Verlag, Jahr: , , 2001
Umfang: 159 S.
Schlagwortketten: Sperrschicht-FET / Rauschen

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Autor:Hörnel, Nicolas
Titel:Physikalische Ursachen und Wirkung von Rauschquellen in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
Von:vorgelegt von Nicolas Hörnel
Jahr:2001
Umfang:159 S.
Illustrationsangabe:Ill., graph. Darst. : 30 cm
Anmerkungen:München, Univ., Fak. für Physik, Diss., 2002
BV-Nummer:BV014767621